RSS  |  PDA

Это реклама. Ссылки открываются в новом окне.
Радиоприем

Все о детекторном радиоприемнике

1 | Стр. 166 | 273
alexbe
14.01.2011, 10:34

так а что нам мешает, например, включить несколько диодов параллельно, скажем обращенный, германиевый, и шоттки? Наверное так даже кто-то уже пробовал. Правда у обращенного обратное напряжение0,6 вольт, дальше он открывается...

# 
ВиНи ◊
14.01.2011, 11:54

В данной теме уже не раз встречаю вопросы о свойствах диодного включения транзисторов, и пока ни одного вразумительного ответа. Попробую помочь, но для понимания потребуются знания, выходящие за рамки средней школы.
Надеюсь, всем участникам форума известно, что биполярный транзистор состоит из трёх чередующихся областей полупроводника с проводимостями p- и n-типа. Существует два типа транзисторов со структурами p-n-p и n-p-n. От каждой из трёх областей имеются омические выводы, называемые эмиттером (левая область , базой (средняя) и коллектором (правая область ). Соответственно, в транзисторе имеются два электрических перехода (диода): эмиттер-база (эмиттерный переход) и база-коллектор (коллекторный переход).

Путём технологических ухищрений эмиттерный и коллекторный переходы расположены настолько близко друг к другу, что влияют один на другой, а их параметры сделаны специально неодинаковыми, чтобы обеспечить наилучшие усилительные свойства транзистору. На пути эволюции транзисторов использовалось много различных технологических приёмов их изготовления, каждый из которых придавал транзистору характерные свойства, которые могли отсутствовать у транзисторов, изготовленных по другой технологии. Поэтому пытаться объяснить различие в поведении транзисторов разных эпох в одной и той же схеме можно только зная их технологические особенности. И тем не менее общую закономерность знать полезно.

Следуя принципу действия транзистора его конструкцию стараются сделать такой, чтобы:
а) достичь наибольшего коэффициента инжекции носителей из эмиттера в базу,
б) обеспечить их наименьшие потери в базе и наиболее эффективное собирание носителей (коллектирование) областью коллектора,
в) получить, по возможности, большее рабочее напряжение на коллекторе и минимальную ёмкость коллекторного перехода.
Пункт а) обеспечивается очень высокой степенью легирования эмиттерной области по сравнению с базой. Но известно, что с увеличением степени легирования областей p-n-перехода растёт и его потенциальный барьер (напряжение "пятки" на его ВАХ) и уменьшается его толщина (растёт емкость перехода).
Пункт б) удовлетворяется путём изготовления очень тонкой базовой области и увеличения площади коллекторного перехода.
Чтобы обеспечить высокое рабочее напряжение по пункту в), область коллектора желательно слабо легировать, тогда переход получается широким и его напряжение пробоя большим. За счёт большой ширины достигается и небольшая ёмкость коллекторного перехода. Напряжение "пятки" на ВАХ коллекторного перехода получается меньше, чем у эмиттерного.

А теперь о свойствах диодного включения транзистора. Их возможно пять:
ЭК-Б - эмиттер и коллектор соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод базы,
ЭБ-К - эмиттер и база соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод коллектора,
БК-Э - база и коллектор соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод эмиттера.
Э К-Б - вывод эмиттера свободен, а выводы коллектора и базы являются выводами диода.
К Э-Б - вывод коллектора свободен, а выводы эмиттера и базы являются выводами диода.

Первый вариант ЭК-Б является параллельным включением двух переходов. В этом случае возможен максимальный ток через диод; напряжение "пятки" на ВАХ минимальное; величина допустимого обратного напряжения минимальная и определяется, как правило, напряжением пробоя эмиттерного перехода; барьерная ёмкость диода максимальная и наибольшее время восстановления обратного сопротивления.

Второй вариант диода ЭБ-К использует только коллекторный переход, а эмиттерный закорочен. Такое включение обладает большим обратным напряжением, ограниченным напряжением пробоя коллекторного перехода; небольшой величиной "пятки" на ВАХ; небольшой барьерной ёмкостью; минимальным временем восстановления обратного сопротивления, т.к. уровень инжекции носителей из коллектора в базу невелик по причине слабого легирования коллекторной области, а так же закороченного эмиттерного перехода. В этом случае нет возможности накапливаться носителям в эмиттерной области.

В третьем варианте БК-Э используется только эмиттерный переход, который характеризуется большим напряжением "пятки" на ВАХ; малым обратным напряжением; большой ёмкостью перехода и большим временем восстановления обратного сопротивления вследствие большого коэффициента инжекции носителей из эмиттера в базу.

Четвёртый и пятый варианты обладают соответственно практически такими же статическими ВАХ, как и первый и второй, но уступают им в быстродействии по причине возможного накопления избыточных зарядов в свободных (неподключённых) областях. В этом плане последний пятый вариант наихудший.

# 
ssv
14.01.2011, 13:40

Текст, выложенный ВиНи, видел я в какой-то книженции, там ещё иллюстрации в виде разных вариантов включения были, а может просто похожий текст. Однако всё проясняется, конструктивные особенности МП25 позволяют на практике ощутить последствия накопления носителей в эмиттерной области, если оставить эмиттер висеть в воздухе.

# 
gudd ◊
14.01.2011, 14:09

alexbe: так а что нам мешает, например, включить несколько диодов параллельно, скажем обращенный, германиевый, и шоттки? Наверное так даже кто-то уже пробовал. Правда у обращенного обратное напряжение0,6 вольт, дальше он открывается...

Желаю чтобы всем!
Попробуйте включить параллельно 6 (шесть) диодов Д9Б (больше у меня нет) и будете приятно удивлены...

# 
IDiod ◊
14.01.2011, 19:47

ВиНи: И тем не менее общую закономерность знать полезно.

ВиНи,
а в каком включении получается круче ВАХ и сильнее температурная зависимость (напряжения при фиксированном прямом токе)?

# 
alexbe
14.01.2011, 20:53

и еще где-то читал такую штуку. у диода шоттки при приближении к предельной температуре напряжение открывания достаточно сильно уменьшается.
т.е. приклеиваем диод к нагревательному элементу с термодатчиком (можно контур автоматического регулирования температуры даже сделать)

и имеем 50 милливольт при 125С. а в схему при этом электричества не поступает.

# 
Tadas ◊
14.01.2011, 23:17

А нагревательный элемент питаем свободной энергией

# 
LN
15.01.2011, 00:00

Здравствуйте, уважаемые участники форума!

Извините, что прерываю оживлённую беседу.

Поздравляю с Православным Новым Годом и вам желаю здоровья, чтобы преодолеть будущие трудности этого года!

С интересом смотрел за оживлением детекторной ветки из Дуйсбурга, куда занесло по делам судостроительным. А рядом стоит город Бохум, славный Рурско-Бохумским универститетом, в котором есть кафедра электронной инженерии и электронной схемотехники. Вот и воспользовался случаем.

На этой кафедре 11 профессоров, 4 доктора наук, 19 канд. наук и более сотни студентов и аспирантов только тем и занимаются, что с помощью суперсовременных измерительных систем изучают и проверяют характеристики радиоустройств периода 1890 – 1930 года. Изучают схемотехнику синхродинов, гомодинов, аудионов, ионофонов, регенераторов-суперрегенераторов и, конечно, детекторных приёмников разных времён и разных фирм. Одна из главных целей – изучить и сохранить драгоценный опыт и синтетические знания германских радиоинженеров для будущих поколений и применить эти знания в современной радиотехнической аппаратуре – так записано в Уставе кафедры.

Между прочим, аспирант там получает 2500 евреев в месяц, а элитная квартира в центре города – 800 евреев, попроще – 400. И еда – 30 евро в день. Вот бы нам такие кафедры! Да куда там! Наши министр и подминистры образования, вероятно, считают, что нет в России подобного опыта, так что и сохранять нечего. Точно знаю, что МинОбр даже не знает, кто такой Лосев и Кренкель.

Так вот – спросил я на этой кафедре: нет ли у них приёмников DeTeWe. Показали два. Не такие, как был у меня, пораньше годами, но схемы те же. И чтоб я не мешал, дали мне почитать диссертацию и публикации профессора Бертольда Боша. Времени особо не было, но я нашёл то, что нужно, и теперь предлагаю почитать вам. Там схемы, так что загляните, пожалуйста, по ссылке http://ifolder.ru/21335470.
Найдёте pdf файл Serial Xsets. Уверен, что прочтёте для себя интересное.

Раздел диссертации сохранён в том виде, как есть, только немецкий текст заменил на русский (технический перевод – одно из моих образований). Обратите внимание, что схема с) – это схема DeTeWe.

# 
Vlad_Petr
15.01.2011, 17:04

Спасибо LN! И в документе есть ссылка http://www.oldradioworld.de/gollum/analysis.htm . А можно-ли где нибудь увидеть фото ( интересует конструктив, тип намотки ) этой системы из двух связанных контуров. Как я понимаю, это сменные катушки для разных диапазонов...

# 
ssv
15.01.2011, 17:08

Невольно к немцам уважение растёт, молодцы они.

# 
Страницы:
156  157  158  159  160  161  162  163  164  165  166  167  168  169  170  171  172  173  174  175  176 

Загруженные файлы